Компания Fujitsu сообщила о начале серийного выпуска чипов сегнетоэлектрической памяти (FRAM) ёмкостью 2 Мбит: MB85R2001 (256 K x 8) и MB85R2002 (128 К x 16). Напомним, что в основе этого типа энергонезависимой памяти лежит сегнетоэлектрический эффект, заключающийся в сохранении локальными участками диэлектрической пленки электрической поляризации в отсутствие электрического поля. Скорость записи для чипов FRAM, как сообщает Fujitsu, в 10 000 раз больше, чем у EEPROM, максимальное количество циклов перезаписи также на четыре порядка выше. Как и более старые 1-Мбит чипы MB85R1001 и MB85R1002, новинки будут выпускаться в упаковке TSOP-48.